紫光闪存推出UNIS SSD S5以及UNIS SSD S5 Ultra系列PCIe 5.0 SSD,紫光均搭载3D TLC NAND闪存并配备了1mm石墨烯散热配件,闪存石墨分别采用无缓存和有缓存设计。烯散
紫光闪存宣布推出UNIS SSD S5以及UNIS SSD S5 Ultra系列PCIe 5.0 SSD,热片两者均搭载3D TLC NAND闪存,紫光配备了1mm石墨烯散热配件,闪存石墨分别采用无缓存和有缓存设计。烯散紫光闪存表示,热片新产品将凭借优异的紫光性能参数,超速的闪存石墨动力,致力于满足消费者不同需求,烯散解锁AI无限可能。热片
UNIS SSD S5系列采用了M.2 2280规格单面设计,不仅能与市面上绝大多数主板完美适配,闪存石墨还具有出色的烯散散热表现。其搭载了12nm工艺制造的主控芯片,PCIe 5.0 x4通道,基于DRAM-less设计,利用HMB(Host Memory Buffer)动态缓存功能,借助主机系统内存来临时存储数据,并搭载SLC Cache。UNIS SSD S5系列最大顺序读取速度为14900MB/s,最大顺序写入速度为12900MB/s,4K随机读取可达1800K IOPS,4K随机写入可达1700K IOPS,1TB和2TB的质保写入量分别为600TBW和1200TBW,近乎触及PCIe 5.0标准的性能天花板。
UNIS SSD S5 Ultra系列采用了M.2 2280双面设计,外观设计更具科技感。其PCBA融入独特的线条元素,勾勒出富有层次感的外观轮廓。同时PCBA经过特殊工艺处理,一方面保证了坚固性,另一方面优化了散热效果。其搭载了6nm工艺制造的主控芯片,PCIe 5.0 x4通道,搭配独立缓存,进一步提升了运算能力和数据处理速度。UNIS SSD S5 Ultra系列最大顺序读取速度为14200MB/s,最大顺序写入速度为13400MB/s,4K随机读取可达1700K IOPS,4K随机写入可达1600K IOPS,2TB和4TB的质保写入量分别为1200TBW和2400TBW,更加注重生产力方面的赋能。
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